蔡先体
【姓名】 蔡先体
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】 新型半导体电子材料的研究工作
【发表文献关键词】 反应离化团簇束沉积,GaN薄膜,缓冲层,Si基,离化,双气流,上生,晶格失配,氧杂质,团簇束,底表面,衬底材料,离化原子团,光峰,低温光致发光,发光特性,团簇,外延薄膜,能峰,衍射峰,
【工作单位】 武汉大学
【曾工作单位】 武汉大学;
【所在地域】 湖北武汉
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[1]蔡先体,黄启俊,黄浩,孟宪权,郭怀喜,范湘军.Si基的RICBD法生长GaN薄膜[J]半导体光电.2001,(01)
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