王永兴
【姓名】 王永兴
【职称】
【研究领域】 物理学;无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 甲硅烷,APCVD,非晶硅,淀积速率,热扩散,常压,衬底温度,温度梯度,硅烷,主流区,速率控制步骤,表面反应,反应室,透射谱,源气体,薄膜淀积,气相反应,VD过程,薄膜生长,纵向温度梯度,
【工作单位】 武汉工业大学
【曾工作单位】 武汉工业大学;
【所在地域】
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[1]王敬义,何笑明,王宇,王永兴.甲硅烷常压CVD淀积非晶硅研究[J]华中理工大学学报.1991,(02)
[2]王永兴;崔万秋;何笑明;王敬义;.常压CVD淀积非晶硅薄膜的研究[J]武汉工业大学学报.1991,(03)
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