高繁荣
【姓名】 高繁荣
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】 半导体光电器件辐照效应的研究
【发表文献关键词】 响应度,光谱光电流,辐照效应,网格结构,硅光电二极管,使用模式,紫外,光伏探测器,光电流谱,串联电阻,损伤分布,光电流,Υ辐照,光电器件,质子辐照,辐照,硅光电器件,样管,空间分布,光电三极管,浓硼,...
【工作单位】 武汉大学
【曾工作单位】 武汉大学;
【所在地域】 武汉
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[1]陈炳若,李启亮,高繁荣,王飚,李振.硅紫外光伏探测器件响应度的研究[J]武汉大学学报(自然科学版).1997,(05)
[2]高繁荣,陈炳若,李世清,鄢和平.硅光电二极管快中子和氧离子的辐照效应[J]半导体光电.1998,(02)
[3]陈炳若，李世清，鄢和平，高繁荣.硅光电器件两种辐照效应的比较[J]核技术.1998,(01)
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