门传玲
【姓名】 门传玲
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】 微电子及固体电子学的研究
【发表文献关键词】 SOI,AlN薄膜,AlN,IBED,离子束增强沉积,应力,键合,绝缘层上硅,高分辨X射线衍射,氮化铝薄膜,智能剥离,增强沉积,埋层,离子束,SOI材料,蒸发速率,直接键合,氮化铝,SOI结构,硅结,...
【工作单位】 同济大学
【曾工作单位】 同济大学;
【所在地域】 上海中国
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[1]门传玲,徐政,安正华,吴雁军,林成鲁.AlN薄膜室温直接键合技术[J]半导体学报.2003,(02)
[2]门传玲,徐政,安正华,林成鲁.新型氮化铝埋层上硅结构的应力特性[J]同济大学学报(自然科学版).2003,(03)
[3]门传玲,徐政,郑志宏,多新中,张苗,林成鲁.离子束增强沉积AlN薄膜的研究[J]压电与声光.2001,(05)
[4]门传玲,徐政,安正华,张苗,林成鲁.制备AlN薄膜为绝缘埋层的新型SOI材料[J]功能材料与器件学报.2002,(04)
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