王良
【姓名】 王良
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 迁移率,光淬灭,热激电流,6H-SiC,EL2缺陷,载流子浓度,激活能,EL2能级,半绝缘砷化镓,淬灭,6H-Si,掺氮,C谱,温度依赖关系,半绝缘,电学性质,C材料,测量与分析,流谱,砷化镓,光电流...
【工作单位】 天津市电子材料研究所
【曾工作单位】 天津市电子材料研究所;
【所在地域】 天津
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[1]王良,郑庆瑜,孙毅之.半绝缘砷化镓的光淬灭对TSC的影响[J]半导体杂志.2000,(02)
[2]王良,郑庆瑜.半绝缘砷化镓的热激电流谱测量[J]现代仪器.2002,(02)
[3]王良,郑庆瑜,孙毅之.掺氮6H-SiC材料电学性质温度依赖关系测量与分析[J]半导体杂志.1998,(04)
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