郑庆瑜
【姓名】 郑庆瑜
【职称】 工程师;
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 剥离霍尔技术,F因子,迁移率,光淬灭,热激电流,6H-SiC,EL2缺陷,载流子浓度,激活能,EL2能级,薄膜材料,半绝缘砷化镓,淬灭,6H-Si,掺氮,C谱,温度依赖关系,半绝缘,电学性质,C材料,...
【工作单位】 天津市电子材料研究所
【曾工作单位】 天津市电子材料研究所;
【所在地域】 天津
今年新增/文献篇数 核心期刊论文数 基金论文数 第一作者篇数 总被引频次 总下载频次
0/4 1 1 0 7 261
中国期刊全文数据库    共找到4篇
[1]王良,郑庆瑜,孙毅之.半绝缘砷化镓的光淬灭对TSC的影响[J]半导体杂志.2000,(02)
[2]王良,郑庆瑜.半绝缘砷化镓的热激电流谱测量[J]现代仪器.2002,(02)
[3]孙毅之,冯玢,郑庆瑜.剥离霍尔技术分析与实用中的问题[J]固体电子学研究与进展.1998,(02)
[4]王良,郑庆瑜,孙毅之.掺氮6H-SiC材料电学性质温度依赖关系测量与分析[J]半导体杂志.1998,(04)
更多