王永晨
【姓名】 王永晨
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 缓冲层,有源层,外延层,GaAs,过渡区,气相,高阻,迁移率,亚微米,砷化镓,杂质,漂移扩散,反应室,外延,杂质浓度,外延生长,气相腐蚀,掺C,输运,克分子分数,浓度分布,杂质源,扩散模型,数量级,载...
【工作单位】 天津市电子材料研究所
【曾工作单位】 天津市电子材料研究所;
【所在地域】
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[1]王永晨,朱毅敏.亚微米砷化镓气相双层外延与高阻缓冲层[J]半导体学报.1981,(03)
[2]王永晨.GaAs气相双层外延层中有源层与缓冲层过渡区宽度的研究[J]半导体学报.1981,(04)
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