华庆恒
【姓名】 华庆恒
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体,红外光谱研究,位错密度,GaAs,深能级,深中心,红外反射光谱,激光器,肖特基结,Drude模型,表观激活能,晶锭,迁移率,MOS结构,径向分布,能级,电子材料,硅掺杂,深能级瞬...
【工作单位】 天津市电子材料研究所
【曾工作单位】 天津市电子材料研究所;
【所在地域】
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[1]华庆恒,李光平,何秀坤,王琴.Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体红外光谱研究[J]固体电子学研究与进展.1985,(04)
[2]陈诺夫,张若愚,华庆恒.Al_xGa_(1-x)As/GaAs LOC激光器中的深能级[J]固体电子学研究与进展.1987,(04)
[3]杨瑞霞,刘文杰,李光平,华庆恒.掺杂和未掺杂LEC GaAs中EL2和位错密度分布[J]固体电子学研究与进展.1988,(03)
[4]杨瑞霞,李光平,华庆恒.LEC GaAs中杂质和本征点缺陷分布对EL_2分布的影响[J]半导体技术.1990,(03)
[5]华庆恒,严如岳,李岩松,陈古川,张菀,刘咏梅,杨媛琪.直流磁控溅射TiN/GaAs肖特基结的电学特性研究[J]固体电子学研究与进展.1990,(01)
[6]陈诺夫,张若愚,华庆恒.MOS结构深能级瞬态谱的测试与分析[J]固体电子学研究与进展.1992,(02)
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