傅雄强
【姓名】 傅雄强
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 SICI,硅外延,SiCl_4,硅外延层,间歇精馏,n型,提纯效果,精馏,电阻率,霍耳迁移率,筛板,化学光谱法,半导体技术,球形冷凝器,粗馏,载流子浓度,精馏塔,杂质,筛板塔,塔柱,
【工作单位】 天津市半导体技术研究所
【曾工作单位】 天津市半导体技术研究所;
【所在地域】
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[1]傅雄强,张蓬英,宁培琪.间歇精馏法生产硅外延用的高纯SiCl_4[J]稀有金属.1984,(06)
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