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[1]武卫兵;靳正国;华缜;邱继军;.电化学沉积法制备CuSCN固体电解质薄膜的研究[J]太阳能学报.2006,(02)
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[2]钱进文;靳正国;邱继军;刘志锋;.离子层气相反应法制备CuInS_2半导体薄膜(英文)[J]硅酸盐学报.2006,(08)
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[3]刘晓新,靳正国,步绍静,邱继军,赵娟,程志捷.连续离子层吸附反应法制备(Zn,Cd)S薄膜及其性能[J]硅酸盐学报.2004,(07)
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[4]武卫兵,靳正国,华缜,邱继军.p型CuSCN半导体薄膜电沉积特征的研究[J]硅酸盐学报.2004,(09)
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[5]李巍,葛志平,刘志锋,杨建立,邱继军,靳正国.溶胶-凝胶法制备ZnO多孔薄膜[J]硅酸盐学报.2005,(06)
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[6]石勇,靳正国,李春艳,安贺松,邱继军.SILAR法制备化学计量CuInS_2薄膜[J]无机化学学报.2005,(09)
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[7]邱继军,靳正国,武卫兵,刘晓新,程志捷.ILGAR法制备CdS薄膜新工艺的研究[J]太阳能学报.2005,(03)
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[8]邱继军,靳正国,石勇,武卫兵,程志捷.浸渍离子层气相反应法制备CuInS_2薄膜[J]硅酸盐学报.2005,(01)
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[9]武卫兵,靳正国,华缜,付亚楠,邱继军.高透光p型CuSCN薄膜的电沉积制备及机理研究[J]无机化学学报.2005,(03)
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[10]邱继军,靳正国,钱进文,石勇,武卫兵.离子层气相反应法(ILGAR)制备CuInS_2薄膜的研究[J]无机化学学报.2005,(03)
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