孙长庆
【姓名】 孙长庆
【职称】
【研究领域】 物理学;数学;工业通用技术及设备;
【研究方向】
【发表文献关键词】 铁膜,FeN薄膜,单晶,晶体结构分析,对向靶溅射,外延,结构分析,天津大学,晶格畸变,再溅射,对向靶反应溅射,束缚磁场,TiN薄膜,电子衍射谱,基板偏压,互易定律,环形磁头,再生波形,倒格子,直流负偏...
【工作单位】 天津大学
【曾工作单位】 天津大学;
【所在地域】
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[1]刘裕光，姜恩永，程启，孙长庆.对向靶溅射TiN薄膜的结构和物性[J]金属学报.1995,(13)
[2]孙长庆,姜恩永,张西祥,吕旗,刘裕光.FeN薄膜的制备及晶体结构分析[J]人工晶体.1988,(Z1)
[3]张西祥,姜恩永,孙长庆,刘裕光.外延单晶铁膜的结构分析[J]人工晶体.1988,(Z1)
[4]孙长庆,姜恩永,刘裕光,张西祥,吕旗.对向靶溅射法中直流负偏压对FeN化合物薄膜的结构和磁性的影响[J]天津大学学报.1989,(04)
[5]姜恩永,程启,孙长庆,刘裕光,王忠杰,段辉平,耿志刚.环形磁头输出再生波形的模拟分析(英文)[J]天津大学学报.1993,(06)
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