赫晓龙
【姓名】 赫晓龙
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 场板,碰撞电离,击穿电压,MOSFET,碰撞电离率,场板长度,空间电荷区,力线,载流,栅压,电场强度,正电荷,电场,场板结构,PN结,场限环,耗尽区,PMOSFET,多晶硅,近表面,
【工作单位】 天津大学
【曾工作单位】 天津大学;
【所在地域】 天津
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[1]赫晓龙,姚素英,赵毅强,王培林,王传政.MOSFET栅下碰撞电离与击穿研究[J]固体电子学研究与进展.2004,(01)
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中国优秀硕士学位论文全文数据库    共找到1篇
[1]赫晓龙.基于CMOS工艺的高压MOSFET的研究[D].天津大学.2004
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