邹庆生
【姓名】 邹庆生
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;化学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 二次离子,质谱学,相对灵敏度因子法,多层结构,参考物质,二次离子质谱（SIMS）,深度剖析,定量分析,最新进展,二次离子质谱,GaAs,溅射速率,质谱,SIMS,溅射,深度分析,深度分辨,检测限,基体...
【工作单位】 清华大学
【曾工作单位】 清华大学;
【所在地域】 北京
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[1]邹庆生，查良镇.二次离子质谱学的最新进展──第9届国际二次离子质谱学会议评述[J]质谱学报.1995,(02)
[2]邹庆生,查良镇,刘容,马农农,韩象明.GaAs中Si的二次离子质谱定量分析[J]真空科学与技术.1996,(01)
[3]查良镇,邹庆生,王有政,宋风华,刘容.复杂多层结构的二次离子质谱定量深度分析[J]清华大学学报(自然科学版).1997,(04)
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