赵方红
【姓名】 赵方红
【职称】
【研究领域】 工业通用技术及设备;无线电电子学;材料科学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 磁控溅射,ZGO薄膜,电阻率,溅射功率密度,基体温度,透过率,透射率,氧化锌,薄膜性能,晶体结构,陶瓷靶材,方块电阻,光学性能,中频,红外反射率,可见光,溅射制备,红外反射,电学性能,晶格畸变,薄膜电...
【工作单位】 清华大学
【曾工作单位】 清华大学;
【所在地域】 北京
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[1]赵方红;庄大明;张弓;姬杨玲;.基体温度对中频磁控溅射制备的氧化锌镓薄膜性能的影响[J]真空科学与技术学报.2006,(05)
[2]赵方红,庄大明,张弓,查杉.功率密度对中频磁控溅射制备的氧化锌镓薄膜性能的影响[J]真空科学与技术学报.2005,(03)
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