张锡盛
【姓名】 张锡盛
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 热载流子,碰撞电离,MOSFET,亚微米,二维数值模拟,PISCES,界面电荷,衬底电流,计算机模拟,反馈影响,自洽,PN结,击穿电压,模拟结果,算法,器件模拟,亚微米器件,碰撞电离率,电离系数,载流...
【工作单位】 清华大学
【曾工作单位】 清华大学;
【所在地域】 北京
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[1]张锡盛,何新平,李志坚.亚微米MOSFET热载流子蜕变的二维计算机模拟和分析[J]半导体学报.1993,(03)
[2]张锡盛,何新平,李志坚.考虑碰撞电离下的亚微米MOSFET的二维数值模拟和分析[J]半导体学报.1993,(05)
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