张炯
【姓名】 张炯
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;金属学及金属工艺;
【研究方向】
【发表文献关键词】 关态电流,基区,热载流子,热空穴,热载流子应力,效应研究,俘获率,MOS,空穴注入,nMOSFET,应力条件,偏置电压,势垒,基区宽度,弛豫时间,栅脉冲,空穴,界面电荷,双极器件,退变,带隙,直流增益...
【工作单位】 清华大学
【曾工作单位】 清华大学;
【所在地域】 北京
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[1]张炯,李瑞伟.N-掺杂浓度对小尺寸nMOSFETs热载流子寿命的影响[J]半导体学报.2000,(05)
[2]张炯,李瑞伟,张文良.AC热载流子应力下nMOSFET’s的退变研究[J]半导体学报.1999,(01)
[3]钱伟,金晓军,张炯,林惠旺,陈培毅,钱佩信.不同偏置电压下SiGe HBT Early电压的理论研究[J]半导体学报.1998,(04)
[4]张炯,李瑞伟,钱伟.反向关态电流在热载流子蜕变效应研究中的应用[J]半导体学报.1998,(04)
[5]张炯,吴正立,李瑞伟.nMOSFET’s界面对热空穴俘获率的研究[J]半导体学报.1998,(05)
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