徐阳
【姓名】 徐阳
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;计算机软件及计算机应用;公路与水路运输;
【研究方向】 SiGeHBT工艺
【发表文献关键词】 无机非金属材料,半导体材料,SiGeHBT,应变硅,欧拉电压,减压化学气相沉积,硼外扩散,锗硅虚拟衬底,多层复合结构,基区,异质结,直流参数,表面粗糙度,优化,高温工艺,硅材料,扩散系数,位错密度,组...
【工作单位】 清华大学
【曾工作单位】 清华大学;
【所在地域】 北京中国
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[7]刘佳磊;梁仁荣;王敬;徐阳;许军;刘志弘;.Growth of Ge Layer on Relaxed Ge-Rich SiGe by Ultrahigh Vacuum Chemical Vapor Deposition[J]Tsinghua Science and Technology.2007,(06)
[8]张侃;梁仁荣;徐阳;许军;.应变硅n-MOSFET中电子迁移率的增强及其温度特性[J]固体电子学研究与进展.2007,(04)
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