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肖文锐
【姓名】
肖文锐
【职称】
【研究领域】
无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】
LDMOS,RESURF,虚拟器件,高压器件,虚拟制造技术,LDMOS器件,击穿电压,自由高,埋层,外延层,p区,NMOS,RESURF原理,PMOS,轻掺杂,导通电阻,RESURF结构,面密度,N-...
【工作单位】
清华大学
【曾工作单位】
清华大学;
【所在地域】
北京
学术成果产出统计表
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共找到1篇
[1]肖文锐,王纪民.
三端自由高压LDMOS器件设计
[J]微电子学.2004,(02)
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