司伟民
【姓名】 司伟民
【职称】
【研究领域】 物理学;无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 增益耦合,量子阱,调制器,Modula,开关比,GaAlAs／GaAs,热蚀,光栅,反馈式,光调制器,Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体,吸收型,半导体激光器,激光器,调制电压,电吸收型调制器,GaAs,二次外延,...
【工作单位】 清华大学
【曾工作单位】 清华大学;
【所在地域】 北京
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[1]罗毅，司伟民，张盛忠，陈镝，王健华，蒲锐.完全　MBE　生长的内含吸收型光栅　GaAlAs／GaAs　多量子阱增益耦合型分布反馈式半导体激光器[J]半导体学报.1994,(02)
[2]罗毅，张盛忠，司伟民，陈镝，王健华.基于MBE的GaAlAs／GaAs分布反馈式半导体激光器的制作新工艺[J]半导体学报.1994,(10)
[3]司伟民，罗毅，李德杰，张克潜，孙长征.分布反馈式半导体激光器／电吸收型调制器单片光子集成器件的理论分析[J]半导体学报.1995,(06)
[4]罗毅,司伟民,张盛忠,陈镝,王健华.分布反馈式半导体激光器研究的历史回顾与最新进展[J]自然科学进展.1995,(03)
[5]司伟民,李德杰,王健华,彭吉虎,张克潜.Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体量子阱光调制器[J]通信学报.1992,(04)
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