马鑫荣
【姓名】 马鑫荣
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 MOS结构,少子寿命,MIS结构,P型硅,表面层,复合中心,抛光,不稳定性研究,二维系统,强电场效应,产生率,电子隧道,半导体,铬离子,能谱,耗尽层,离子注,反型层,理论曲线,注硼,耗尽区,折点,反型...
【工作单位】 清华大学
【曾工作单位】 清华大学;
【所在地域】
今年新增/文献篇数 核心期刊论文数 基金论文数 第一作者篇数 总被引频次 总下载频次
0/5 0 0 3 16 228
中国期刊全文数据库    共找到5篇
[1]马鑫荣,田立林,李志坚.P型硅MOS结构C(t)不稳定性研究[J]半导体学报.1981,(04)
[2]马鑫荣,田立林,李志坚.用MIS结构C(t)特性同时决定半导体表面层内及体内的少子寿命[J]半导体学报.1981,(04)
[3]马鑫荣,李志坚.关于MOS结构深耗尽c(v)特性的转折现象[J]半导体学报.1984,(04)
[4]李志坚,田立林,马鑫荣.硅耗尽层少子产生率的强电场效应[J]半导体学报.1985,(01)
[5]李志坚,周海平,马鑫荣.硅耗尽表面准二维系统室温电子隧道能谱[J]半导体学报.1985,(03)
更多