李希有
【姓名】 李希有
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 线宽(CD)损失,刻蚀速率,SiGeHBT,功率管,选择性,UHV/CVD,反应离子刻蚀,RIE刻蚀,硅外延,叉指,正交试验,杂质分布,CHCl3,微波功率,子学,达林顿结构,微波单片集成电路,硅化物...
【工作单位】 清华大学
【曾工作单位】 清华大学;
【所在地域】 北京
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[1]张伟;王玉东;熊小义;许军;单一林;李希有;刘爱华;钱佩信;.TiSi_2在微波低噪声SiGe HBT中的应用[J]半导体技术.2006,(01)
[2]李翊;张伟;许军;陈长春;单一林;熊小义;李希有;刘志弘;钱佩信;.Ti-Si_(0.84)Ge_(0.16)和Ti-Si系统的温度特性研究[J]微电子学.2006,(01)
[3]鲁亚诗;张伟;李高庆;刘道广;李希有;鲁勇;刘爱华;张翔;.一种低噪声SiGe微波单片放大电路[J]微电子学.2006,(05)
[4]王玉东;徐阳;张伟;李希有;刘爱华;.SiGe HBT基区结构的优化对欧拉电压的影响[J]微电子学.2006,(05)
[5]熊小义,张伟,许军,刘志宏,陈长春,黄文韬,李希有,钟涛,钱佩信.BV_(CBO)为23V且f_T为7GHz30叉指微波功率SiGe HBT(英文)[J]半导体学报.2004,(10)
[6]李希有,周卫,张伟,仲涛,刘志弘.Al-Si合金RIE参数选择[J]半导体技术.2004,(11)
[7]黄文韬,陈长春,李希有,沈冠豪,张伟,刘志弘,陈培毅,钱佩信.用于SiGeHBT器件的UHV/CVDn~-型硅外延研究[J]半导体学报.2004,(12)
[8]付玉霞,刘志弘,刘荣华,仲涛,李希有.铝-RIE刻蚀工艺[J]半导体情报.2000,(05)
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