江思思
【姓名】 江思思
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 快速热氮化,氮氧化硅,快速热处理,热载,SiO_2膜,隧道氧化层,热氮化,介质膜,擦写,抗辐照能力,高场,辐照特性,薄栅,栅介质,膜特性,栅介质层,纵深分布,衬底电流,栅电流,热载流子效应,
【工作单位】 清华大学
【曾工作单位】 清华大学;
【所在地域】
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[1]熊大菁,江思思,姜宏.RTP改善超薄SiO_2膜特性的研究[J]半导体技术.1997,(04)
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