华光平
【姓名】 华光平
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 2微米工艺,IC工艺,CMOS技术,穿通,CMOS工艺,源漏穿通,穿通电压,开启电压,栅氧化,工艺方案,电学参数,注入剂,实验结果,注入剂量,杂质浓度,外场,复性,补底,场氧,量的关系,
【工作单位】 清华大学
【曾工作单位】 清华大学;
【所在地域】
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[1]蒋志，王勇，华光平.一种2μmp阱CMOS工艺[J]微电子学.1994,(02)
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