侯东彦
【姓名】 侯东彦
【职称】 研究员;
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】 半导体快速热处理技术研究和设备研制
【发表文献关键词】 瞬态退火,砷硅,红外,瞬态辐照,后热处理,快速热氮化,热退火,PN结,快速热退火,载流子浓度,硅化物,稳态浓度,红外辐照,失活,二次缺陷,电激活,原子,高浓度,快速热处理,激活率,亚稳态,固溶度,特性...
【工作单位】 清华大学
【曾工作单位】 清华大学;
【所在地域】 北京
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[1]侯东彦,钱佩信,李志坚.高浓度注砷硅的红外瞬态辐照退火[J]半导体学报.1983,(06)
[2]徐立,钱佩信,侯东彦,林惠旺,李志坚,王豫生,阎建华,郑胜男.瞬态退火注砷硅亚稳态浓度的后热处理特性研究[J]半导体学报.1985,(01)
[3]侯东彦,马腾阁,陈必贤,钱佩信.红外瞬态退火全离子注入MOS工艺的研究[J]半导体学报.1985,(05)
[4]钱佩信,侯东彦,林惠旺,徐立.超大规模集成电路快速热处理技术[J]电子学报.1992,(11)
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