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[1]吴桐,郝智彪,唐广,郭文平,胡卉,孙长征,罗毅.不同AlGaN层厚度的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的静态特性(英文)[J]半导体学报.2003,(11)
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[2]薛松,韩彦军,郭文平,孙长征,郝智彪,罗毅.p型GaN材料的表面物理特性[J]半导体学报.2003,(12)
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[3]韩彦军,薛松,吴桐,吴震,郭文平,罗毅,郝智彪,孙长征.Cl_2/Ar/BCl_3感应耦合等离子体GaN/Al_(0.28)Ga_(0.72)N的非选择性刻蚀[J]中国科学E辑:技术科学.2004,(03)
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[4]罗毅,邵嘉平,郭文平,韩彦军,胡卉,薛松,孙长征,郝智彪.氮化镓基高亮度发光二极管材料外延和干法刻蚀技术[J]中国有色金属学报.2004,(S1)
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[5]罗毅,郭文平,邵嘉平,胡卉,韩彦军,薛松,汪莱,孙长征,郝智彪.GaN基蓝光发光二极管的波长稳定性研究[J]物理学报.2004,(08)
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[6]邵嘉平,郭文平,胡卉,郝智彪,孙长征,罗毅.GaN基绿光LED材料蓝带发光对器件特性的影响[J]半导体学报.2004,(11)
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[7]邵嘉平,胡卉,郭文平,汪莱,罗毅,孙长征,郝智彪.高In组分In_xGa_(1-x)N/GaN多量子阱材料电致荧光谱的研究[J]物理学报.2005,(08)
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[8]郭文平,邵嘉平,罗毅,孙长征,郝智彪,韩彦军.MOCVD生长GaN材料的模拟[J]半导体学报.2005,(04)
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[9]郭文平,郝智彪,罗毅.一种改进的用于GaN的X射线动力学衍射理论模型(英文)[J]发光学报.2001,(S1)
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[10]周晓滢,郭文平,胡卉,孙长征,罗毅.不同Mg掺杂浓度的GaN材料的光致发光[J]半导体学报.2002,(11)
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