R.G.Egdell
【姓名】 R.G.Egdell
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 注入,气敏膜,俄歇化学效应,导电性能,氧化锡,氧化锡薄膜,俄歇,离子注入,高能离子注入,歇动,薄膜化,氧化锡膜,俄歇线形,化学价态,深度剖析,气敏薄膜,气敏特性,元素,互作用,化学效应,
【工作单位】 牛津大学
【曾工作单位】 牛津大学;
【所在地域】
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[1]朱永法,曹立礼,R.G.Egdell.注Sb/Bi氧化锡薄膜化学结构[J]真空科学与技术.1994,(05)
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