徐温元
【姓名】 徐温元
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;电力工业;材料科学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 取样积分器,非晶硅太阳电池,a-Si,开关比,数据采集,源程序,过程控制,a－Si,晶化,转换效率,界面层,稳定效率,孵化时间,电荷,后氢化,微晶化,固相,硼合金,关态电流,控制板,栅绝缘层,太阳电池...
【工作单位】 南开大学
【曾工作单位】 南开大学;
【所在地域】 天津
今年新增/文献篇数 核心期刊论文数 基金论文数 第一作者篇数 总被引频次 总下载频次
0/38 8 9 5 104 3961
中国期刊全文数据库    共找到38篇
[1]熊绍珍，孟志国，代永平，周祯华，张建军，莫希朝，李德林，赵庚申，徐温元.高开关比（I_（on）／I_（off））a－Si　TFT[J]半导体学报.1994,(02)
[2]于振瑞，耿新华，孙云，刘世国，孙钟林，徐温元.掺硼（B）非晶硅（a－Si：H）材料固相晶化（SPC）的研究[J]太阳能学报.1994,(02)
[3]耿新华，孙云，刘世国，李洪波，陆靖谷，孙建，徐温元.P型μC－SiC：H窗口材料掺杂特性的研究[J]太阳能学报.1994,(04)
[4]耿新华，刘世国，李洪波，孙云，孙钟林，徐温元.SnO_2／p接触特性对a－Si太阳电池填充因子的影响[J]太阳能学报.1995,(03)
[5]耿新华,于振瑞,孙钟林,徐温元.多晶硅薄膜后氢化的研究[J]光电子技术.1995,(02)
[6]赵颖,熊绍珍,孟志国,代永平,周祯华,姚伦,张建军,孙钟林,徐温元.H处理对a-Si TFT矩阵性能的改善作用[J]半导体学报.1997,(01)
[7]耿新华,李洪波,王宗畔,吴春亚,孙建,陆靖谷,孙仲林,徐温元.400cm~2 a-Si/a-Si 叠层太阳电池的研究[J]太阳能学报.1998,(04)
[8]李长健,孙仲林,徐温元.非晶硅肖特基势垒太阳电池[J]太阳能学报.1981,(03)
[9]孙钟林;周祯华;徐温元;.硅平面P-n结器件的a—Si∶H钝化[J]贵金属.1981,(04)
[10]孙钟林;陆靖谷;孙桂荣;徐温元;.一种新的掩膜材料——a-Si∶H合金薄膜[J]贵金属.1981,(04)
更多