莫希朝
【姓名】 莫希朝
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;电信技术;
【研究方向】
【发表文献关键词】 开关比,双栅,a-Si,a－Si,绝缘层,英文,关态电流,栅绝缘层,换气速率,光电子,南开大学,漏电电流,有源层,栅压,广岛,沟道,开态电流,more,迁移率,衬底温度,交错结构,转移特性曲线,量级,...
【工作单位】 南开大学
【曾工作单位】 南开大学;
【所在地域】
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[1]熊绍珍，孟志国，代永平，周祯华，张建军，莫希朝，李德林，赵庚申，徐温元.高开关比（I_（on）／I_（off））a－Si　TFT[J]半导体学报.1994,(02)
[2]孟志国,代永平,莫希朝,周祯华,张建军,熊绍珍.双栅绝缘层a-Si TFT研究(英文)[J]液晶通讯.1993,(03)
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