赵纯培
【姓名】 赵纯培
【职称】
【研究领域】 工业通用技术及设备;物理学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 VO_2,HA薄膜,离子束技术,VO_x,IBED,真空退火,真空,溶解性能,退火时间,薄膜生长,羟基磷灰石薄膜,退火温度,退火条件,解谱,结构分析,陶瓷靶材,薄膜样品,溶解实验,退火处理,钛,溶解性...
【工作单位】 四川联合大学
【曾工作单位】 四川联合大学;
【所在地域】 成都
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[1]周围,林理彬,葛风玉,左长明,赵纯培.真空退火引起的VO_x薄膜生长过程的变价问题研究[J]功能材料.1997,(06)
[2]李旭东,翁杰,王培禄,赵纯培,张兴栋.离子束技术沉积羟基磷灰石薄膜的结构及溶解性能[J]无机材料学报.1998,(04)
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