杨仕钟
【姓名】 杨仕钟
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 反恢复时间,掺钯,VF～TRR兼容性,快恢复二极管,反向漏电流,钯,兼容性,掺金,二极管,能级位置,金属杂质,IEEE,测试仪,正向,物理系,测试条件,四川大学,测试精度,压降,高纯磷,
【工作单位】 四川大学
【曾工作单位】 四川大学;
【所在地域】 成都
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[1]廖勇明,杨仕钟,陈振,游志朴.掺钯硅快恢复二极管V_F～T_(RR)兼容性研究[J]四川大学学报(自然科学版).2003,(01)
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