罗小蓉
【姓名】 罗小蓉
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;物理学;
【研究方向】 SiC材料与器件的研究
【发表文献关键词】 肖特基二极管,6H碳化硅,宽禁带半导体,6H-SiC,MOS电容,γ辐照,肖特基,p型,6H-Si,二极管特性,辐照特性,C界面,理想因子,物理性,势垒高度,串联电阻,肖特基结,氧化层,场板,A类,反...
【工作单位】 四川大学
【曾工作单位】 四川大学;
【所在地域】 四川成都
今年新增/文献篇数 核心期刊论文数 基金论文数 第一作者篇数 总被引频次 总下载频次
0/4 2 0 3 18 1126
中国期刊全文数据库    共找到3篇
[1]廖伟,罗小蓉,廖勇明,洪根深,龚敏.SiO_2/6H-SiC界面的物理性质及其辐照特性的研究[J]四川大学学报(自然科学版).2001,(S1)
[2]罗小蓉,廖伟,廖勇明,洪根深,龚敏.p型Al/6H-SiC肖特基二极管特性的研究[J]四川大学学报(自然科学版).2001,(S1)
[3]罗小蓉,龚敏.p型Al/6H-SiC肖特基二极管特性研究[J]半导体情报.2001,(03)
更多
中国优秀硕士学位论文全文数据库    共找到1篇
[1]罗小蓉.6H-SiC肖特基二极管的特性研究[D].四川大学.2001
更多