T.Kendelewicz
【姓名】 T.Kendelewicz
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 GaAs,能级位置,费米能级,贵金属,费米,解理面,n型,势垒高度,Lindau,肖特基,光电子谱,电子谱,势垒,导带,光电子发射谱,二极管,同步辐射,盖层,缺陷模型,超高真空,
【工作单位】 美国斯坦福大学
【曾工作单位】 美国斯坦福大学;
【所在地域】
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[1]潘士宏,Nathan Newman,T.Kendelewicz,W.G.Petro.贵金属与GaAs(110)界面上费米能级位置的测定[J]半导体学报.1985,(03)
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