孙景山
【姓名】 孙景山
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 硅烷,杂质分布,外延,双漂移,多层外延,双漂移崩越二极管,扩展电阻,p型,崩越二极管,过渡区,外延层,自掺杂,n型,雪崩二极管,自稀释,亚微米,掺杂剂,外延材料,杂质浓度分布,常压,探针,杂质,外延生...
【工作单位】 南京电子器件研究所
【曾工作单位】 南京电子器件研究所;
【所在地域】
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[1]田光炎,陆春一,孙景山,宋毅.硅烷低压外延技术[J]固体电子学研究与进展.1984,(03)
[2]王向武,赵仲镛,陆春一,孙景山.用于硅双漂移雪崩二极管的n~+/np多层外延材料[J]稀有金属.1992,(03)
[3]王向武,陆春一,赵仲镛,孙景山,魏广富.3mm波段硅双漂移崩越二极管外延材料研制[J]固体电子学研究与进展.1993,(03)
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