|
[1]孔岑;李辉;周建军;陈效建;陈辰;耿习娇;.MMIC用多层磁膜电感研究[J]固体电子学研究与进展.2011,(03)
|
|
[2]孔岑;李辉;张万里;陈辰;陈效建;.MMIC用NiFe-SiO_x磁性金属颗粒膜电感研究[J]固体电子学研究与进展.2010,(02)
|
|
[3]李宇柱;倪炜江;李哲洋;李赟;陈辰;陈效建;.600 V-30 A 4H-SiC肖特基二极管作为IGBT续流二极管的研究[J]固体电子学研究与进展.2010,(02)
|
|
[4]倪炜江;李宇柱;李哲洋;李赞;陈辰;陈效建;.耐250℃高温的1200 V-5 A 4H-SiC JBS二极管[J]固体电子学研究与进展.2010,(02)
|
|
[5]倪炜江;李宇柱;李哲洋;李赟;陈辰;陈效建;.耐250°C高温的1200V-5A 4H-SiC JBS二极管[J]固体电子学研究与进展.2010,(04)
|
|
[6]张小玲,吕长治,谢雪松,李志国,曹春海,李拂晓,陈堂胜,陈效建.AlGaN/GaN HEMT器件的研制[J]半导体学报.2003,(08)
|
|
[7]陈堂胜,杨立杰,周焕文,李拂晓,陈效建.Ku波段10W功率PHEMT[J]固体电子学研究与进展.2003,(01)
|
|
[8]钱峰,陈效建.X波段功率异质结双极晶体管[J]固体电子学研究与进展.2003,(01)
|
|
[9]戴永胜,陈堂胜,俞土法,刘琳,杨立杰,陈继义,陈效建,林金庭.一种新颖的DC~50GHz低插入相移MMIC可变衰减器[J]固体电子学研究与进展.2003,(02)
|
|
[10]陈新宇,徐全胜,陈继义,陈效建,郝西萍,李拂晓,蒋幼泉.宽带GaAs MESFET开关模型[J]固体电子学研究与进展.2003,(02)
|
|
更多
|