赵少奇
【姓名】 赵少奇
【职称】
【研究领域】 物理学;工业通用技术及设备;
【研究方向】
【发表文献关键词】 反应离子刻蚀RIE,SEM成像,NbN,AlN,磁控溅射,XRD,c轴取向,直流溅射,工艺过程,超导隧道结,射频磁控,溅射设备,透射电子显微镜,薄膜,薄膜特性,电子衍射图案,SIS结,实验结果,六方相...
【工作单位】 南京大学
【曾工作单位】 南京大学;
【所在地域】 江苏南京
今年新增/文献篇数 核心期刊论文数 基金论文数 第一作者篇数 总被引频次 总下载频次
0/5 5 4 1 44 2049
中国期刊全文数据库    共找到5篇
[1]赵少奇;康琳;吴培亨;叶宇达;.Si衬底上磁控溅射法生长MgO薄膜[J]低温物理学报.2006,(01)
[2]孙静;康琳;刘希;赵少奇;吉争鸣;吴培亨;郝西萍;.反应离子刻蚀与离子刻蚀方法的研究与比较[J]低温物理学报.2006,(03)
[3]刘希;康琳;孙静;赵少奇;昌路;吉争鸣;吴培亨;.NbN/AlN/NbN超导隧道结的制备工艺[J]低温与超导.2007,(01)
[4]昌路;康琳;刘希;赵少奇;吴培亨;.利用TEM对Si基片与MgO基片上生长的薄膜特性的研究[J]低温与超导.2007,(03)
[5]陈亚军,康琳,蔡卫星,施建荣,赵少奇,吉争鸣,吴培亨.MgO(111)上NbN和AlN薄膜的生长研究[J]低温物理学报.2005,(03)
更多