余是东
【姓名】 余是东
【职称】
【研究领域】 物理学;无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 非晶硅薄膜,InP晶体,硅原子,晶化过程,电镜研究,蓝光发光二极管,微结构,硅薄膜,高分辨,微晶硅,碳化硅,纳米硅,HREM,序网络,微晶粒,多晶,非晶硅,微晶化过程,再结晶性质,非晶化,倍周期,晶粒...
【工作单位】 南京大学
【曾工作单位】 南京大学;
【所在地域】 南京
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[1]张荣，施洪涛，余是东，杨凯，沈波，郑有.蓝光半导体碳化硅──材料、器件和工艺[J]固体电子学研究与进展.1996,(02)
[2]江宁,顾书林,余是东,郑有炓.SiO_2上多晶GeSi再结晶性质的研究[J]半导体学报.1997,(03)
[3]何宇亮,周衡南,刘湘娜,程光煦,余是东.非晶硅薄膜晶化过程中微结构的分析[J]物理学报.1990,(11)
[4]王路春,李齐,余是东,郑建国,魏明.高分辨电镜研究掺硫的InP晶体[J]人工晶体学报.1991,(Z1)
[5]余是东;李齐;王路春;魏明;冯端;俞鸣人;周国良;褚一鸣;.Ge_xSi_(1-x)/Si(100)应变超晶格高分辨电镜研究[J]自然科学进展.1991,(06)
[6]何宇亮,刘湘娜,王志超,程光煦,王路春,余是东.纳米硅薄膜的研制[J]中国科学(A辑 数学 物理学 天文学 技术科学).1992,(09)
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