吴汝麟
【姓名】 吴汝麟
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;数学;工业通用技术及设备;
【研究方向】
【发表文献关键词】 传导性质,非晶,非晶硅薄膜,硅薄膜,电导特性,掺硼,非晶硅,局域态,晶化温度,扩展态,陷阱,硅膜,多晶,激活能,离子注,晶粒,微晶薄膜,晶粒大小,晶粒间界,能隙,衍射谱,Fermi能级,缺陷能级,衬底...
【工作单位】 南京大学
【曾工作单位】 南京大学;
【所在地域】
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[1]吴汝麟;陈坤基;.非晶态Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体[J]稀有金属.1985,(06)
[2]吴汝麟;何宇亮;邵达;.制备非晶态Si∶F∶H合金膜的新方法[J]贵金属.1981,(04)
[3]刘湘娜,何宇亮,沈宗雍,吴汝麟.非晶与多晶硅薄膜电导特性的研究[J]电子学报.1983,(02)
[4]沈宗雍,吴汝麟,何宇亮.GD Si:H薄膜的结构和电传导性质[J]半导体学报.1983,(03)
[5]周光能,郑有炓,吴汝麟.离子注入在SiO_2中引入的陷阱中心[J]半导体学报.1983,(06)
[6]吴汝麟,何宇亮,沈宗雍,颜永红.G.D.非晶硅薄膜中掺硼的作用[J]科学通报.1983,(08)
[7]吴汝麟;何宇亮;程光煦;.制备非晶硅合金薄膜的新技术—等离子体化学传输淀积法(PCTD)[J]真空科学与技术.1983,(03)
[8]颜永红,何宇亮,吴汝麟.晶化对掺杂GD非晶硅薄膜导电性能的作用[J]电子学报.1984,(05)
[9]吴汝麟,何宇亮,沈宗雍.THE DOPING EFFECT OF BORON ON GLOW DISCHARGE a-Si:H FILMS[J]A Monthly Journal of Science.1984,(09)
[10]吴汝麟,陈坤基,杨左娅.非晶态砷化镓薄膜的研制[J]半导体学报.1985,(04)
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