吴凤美
【姓名】 吴凤美
【职称】 教授;
【研究领域】 无线电电子学;物理学;化学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 钾离子,缺陷能级,少子寿命,参比电极,电子辐照,能级密度,测定数据,敏感器件,电子注量,固定正电荷,场效应,检测下限,硅层,离子选择电极法,火焰光度法,能级,测量,12MeV电子辐照,双空位,标准溶液...
【工作单位】 南京大学
【曾工作单位】 南京大学;
【所在地域】 江苏南京
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[1]袁晓利,吴凤美,施毅,郑有炓.脉冲中子辐照在硅中引起缺陷的研究[J]固体电子学研究与进展.2001,(03)
[2]吴凤美，施毅.用光电导研究不同厚度未掺杂MOCVDGaAs外延层自由激子[J]红外与毫米波学报.1995,(04)
[3]郑有炓,吴凤美,苏宗禾.SiO_2-Si界面射频等离子体退火性质研究[J]半导体学报.1980,(02)
[4]郑有炓,吴凤美.软X射线辐照引入于SiO_2中的中性陷阱[J]固体电子学研究与进展.1982,(04)
[5]郑有炓,吴凤美.MOS结构的软X射线辐射损伤[J]半导体学报.1982,(01)
[6]吴凤美,赖启基,蒋永兴,陆用义,朱以璋,王元林,冯文荃.12MeV电子辐照在硅器件中的应用[J]半导体技术.1985,(03)
[7]吴凤美,赖启基,张莉华.12MeV电子辐照缺陷能级的研究[J]物理.1985,(09)
[8]朱春生;黄德培;王德枌;胡宏纹;傅庭治;欧惠春;吴凤美;胡进;陈卫基;封苏宇;王钦源;.一种新型涂丝钾离子场效应敏感器件[J]化学传感器.1985,(03)
[9]吴凤美,赖启基,沈波,周国泉.电子辐照硅层中缺陷能级的研究[J]物理学报.1986,(05)
[10]赖启基,吴凤美,蒋永兴,陆用义,朱以璋,王元林,冯文荃.10-12MeV电子对MOS样品和硅二、三极管辐射效应的研究[J]核技术.1986,(06)
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