柳承恩
【姓名】 柳承恩
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;物理学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 深能级缺陷,激光退火,发光多孔硅,多孔硅,谱峰,位错,珀耳帖效应,激光再结晶,化学染色多孔硅,绝缘衬底,多晶硅,负电流,正电流,扫迹,激光扫描,热退火,熔区,离子注入,CO_2,离子注,再结晶,晶粒,...
【工作单位】 南京大学
【曾工作单位】 南京大学;
【所在地域】 南京
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[1]柳承恩,刘建林,王峻岭,陈红明,鲍希茂.两步浸渍法制备发光多孔硅及NO_2的作用[J]中国科学(A辑 数学 物理学 天文学 技术科学).1994,(07)
[2]柳承恩,刘建林,王峻岭,鲍希茂.Formation of Luminescence Porous Silicon by Two-Step Chemical Immersion and Role of NO_2 in Etching[J]Science in China,Ser.A.1994,(10)
[3]鲍希茂,张新宇,柳承恩.离子注入CO_2激光退火硅中的深能级缺陷[J]半导体学报.1985,(01)
[4]柳承恩.珀耳帖效应对无序绝缘衬底上多晶硅激光再结晶的影响[J]半导体学报.1985,(05)
[5]鲍希茂,闫锋,柳承恩,郑祥钦,王路春,朱健民,李齐.发光多孔硅高分辨电镜分析[J]半导体学报.1993,(05)
[6]柳承恩,郑祥钦,阎峰,鲍希茂.多孔硅室温光致发光研究[J]半导体学报.1993,(09)
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