嵇福权
【姓名】 嵇福权
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 激光退火,氧化层错,层错,蚀象,硅氧化,扩硼,弧形,成核位置,晶向,硼扩散,抑制作用,硅表面,宽长比,成核中心,蚀斑,不全位错,光斑,硅单晶,功率密度,激光辐照,层错密度,氧沉淀,样品表,热氧化,扩散...
【工作单位】 南京大学
【曾工作单位】 南京大学;
【所在地域】
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[1]鲍希茂,嵇福权,黄信凡,陈南斗.激光退火对硅氧化层错的抑制作用[J]半导体学报.1980,(03)
[2]鲍希茂,嵇福权,黄信凡.硅中硼扩散运动对氧化层错的影响[J]半导体学报.1980,(04)
[3]鲍希茂,嵇福权,黄信凡.偏离<111>晶向的硅表面层中氧化层错的研究[J]半导体学报.1982,(03)
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