崔旭高
【姓名】 崔旭高
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;物理学;工业通用技术及设备;
【研究方向】
【发表文献关键词】 磁电阻,添加Ag,钙钛矿型稀土锰氧化物,双交换作用,脉冲激光沉淀,居里温度,磁化强度,晶格常数,自旋准粒子,磁电阻效应,钙钛矿型锰氧化物,沉积温度,LaMnO_3,Mn3+,钙钛矿锰化合物,庞磁电阻(...
【工作单位】 南京大学
【曾工作单位】 南京大学;
【所在地域】 江苏南京
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中国期刊全文数据库    共找到8篇
[1]陶志阔;张荣;修向前;崔旭高;李丽;李鑫;谢自力;郑有炓;郑荣坤;Simon P Ringer;.Microstructural properties of over-doped GaN-based diluted magnetic semiconductors grown by MOCVD[J]半导体学报.2012,(07)
[2]曹春海,杨名,张世远,杨森祖,崔旭高,尤立星,吉争鸣,康琳,许伟伟.YBCO薄膜中自旋极化准粒子的注入效应[J]低温物理学报.2003,(03)
[3]崔旭高,夏洪旭,张世远,杨名,康琳,杨森祖.Nd-Sr-Mn-O钙态矿锰氧化物的低场磁电阻效应[J]中国稀土学报.2003,(01)
[4]余江应,胡秀坤,夏洪旭,崔旭高,张世远.非正分钙钛矿锰氧化物(La_(0.8)Sr_(0.2))_(1-x)MnO_3的电磁特性[J]功能材料.2004,(03)
[5]陈永虔,谷坤明,唐涛,崔旭高,张世远.掺K~+和Ag~+的LaMnO_3的室温庞磁电阻效应[J]磁性材料及器件.2001,(03)
[6]杨名,崔旭高,杨森祖,张世远,康琳,吉争鸣,许伟伟,吴培亨.添加Ag的Nd_(0.7)Sr_(0.3)MnO_3薄膜研究[J]低温物理学报.2002,(04)
[7]崔旭高;张荣;陶志阔;李鑫;修向前;谢自力;郑有炓;.MOCVD生长Mn掺杂GaN薄膜的结构与磁学性能研究[J]半导体技术.2008,(S1)
[8]谢自力;张荣;崔旭高;陶志阔;修向前;刘斌;李弋;傅德颐;张曾;宋黎红;崔影超;韩平;施毅;郑有炓;.Mn掺杂GaN基稀磁半导体材料制备和特性研究[J]半导体技术.2008,(S1)
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中国重要会议全文数据库    共找到7篇
[1]崔旭高;张荣;谢自力;李鑫;陶志阔;刘斌;修向前;韩平;施毅;郑有炓;.自旋发光二极管原型器件的设计和制备[A].第十一届全国MOCVD学术会议论文集.2010-01-13
[2]崔旭高;张荣;陶志阔;李鑫;修向前;谢自力;郑有炓;.MOCVD生长Mn掺杂GaN薄膜的结构与磁学性能研究[A].第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议论文集.2008-11-30
[3]谢自力;张荣;崔旭高;陶志阔;修向前;刘斌;李弋;傅德颐;张曾;宋黎红;崔影超;韩平;施毅;郑有炓;.Mn掺杂GaN基稀磁半导体材料制备和特性研究[A].第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议论文集.2008-11-30
[4]崔旭高;张世远;杨名;曹春海;杨森祖;尤立星;吉争鸣;康琳;许伟伟;.YBa_2Cu_3O_7/SrTiO_3/Nd_(0.7)Sr_(0.3)MnO_3结的自旋准粒子隧穿注入[A].第四届全国磁性薄膜与纳米磁学会议论文集.2004-05-01
[5]胡秀坤;崔旭高;张世远;.Ti_(1-x)Co_xO_2薄膜与块材的溶胶—凝胶法制备[A].第四届全国磁性薄膜与纳米磁学会议论文集.2004-05-01
[6]陶志阔;张荣;崔旭高;修向前;谢自力;顾书林;韩平;施毅;江若琏;郑有炓;.应用MOCVD方法在GaN上生长FexN薄膜及其性能研究[A].第十六届全国半导体物理学术会议论文摘要集.2007-09-01
[7]张荣;修向前;崔旭高;陶志阔;李斌斌;刘斌;李杰;郑有炓;许建斌;.宽禁带半导体自旋电子材料研究[A].第十六届全国半导体物理学术会议论文摘要集.2007-09-01
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