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[1]李述体,王立,彭学新,熊传兵,姚冬敏,辛勇,江风益.MOCVD生长P型GaN的掺Mg量的研究[J]半导体学报.2000,(04)
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[2]姚冬敏,辛勇,王立,李述体,熊传兵,彭学新,刘念华,江风益.GaN的RBS/沟道、X射线双晶衍射和光致发光谱[J]半导体学报.2000,(05)
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[3]李述体,王立,辛勇,彭学新,熊传兵,姚冬敏,江风益.MOCVD生长的GaN单晶膜的蓝带发光研究[J]发光学报.2000,(01)
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[4]辛勇,熊传兵,彭学新,王立,姚冬敏,李述体,江风益.MOCVD生长的未掺杂GaN的结晶特性与补偿度关系的研究[J]发光学报.2000,(01)
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[5]姚冬敏,王立,熊传兵,彭学新,江风益.GaN的补偿度与离子束沟道最小产额比的关系的研究[J]发光学报.2000,(02)
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[6]江风益,李述体,王立,熊传兵,彭学新,辛勇,姚冬敏.MOCVD生长GaN:Si单晶膜的研究[J]发光学报.2000,(02)
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[7]江风益,姚冬敏,莫春兰,王立,李鹏,熊传兵,彭学新.化学计量比的偏离对GaN的结晶品质及光电性能的影响[J]半导体学报.2001,(06)
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[8]莫春兰,彭学新,熊传兵,王立,李鹏,姚冬敏,辛勇,江凤益.使用TEGa和TMGa为镓源MOCVD生长GaN的研究[J]发光学报.2001,(01)
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[9]熊传兵,姚冬敏,彭学新,王立,江风益.GaN中一种新受主的发光性能研究[J]南昌大学学报(工科版).2001,(01)
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[10]江风益,熊传兵,彭学新,王立,李述体,姚冬敏,莫春兰,李鹏,周毛兴,周力,吴蔚登,刘和初.新型紫外光源研制成功[J]材料导报.2001,(02)
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