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[1]方文卿,李述体,刘和初,江风益.GaN外延片中载流子浓度的纵向分布[J]发光学报.2004,(05)
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[2]李述体,王立,彭学新,熊传兵,姚冬敏,辛勇,江风益.MOCVD生长P型GaN的掺Mg量的研究[J]半导体学报.2000,(04)
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[3]姚冬敏,辛勇,王立,李述体,熊传兵,彭学新,刘念华,江风益.GaN的RBS/沟道、X射线双晶衍射和光致发光谱[J]半导体学报.2000,(05)
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[4]李述体,王立,辛勇,彭学新,熊传兵,姚冬敏,江风益.MOCVD生长的GaN单晶膜的蓝带发光研究[J]发光学报.2000,(01)
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[5]辛勇,熊传兵,彭学新,王立,姚冬敏,李述体,江风益.MOCVD生长的未掺杂GaN的结晶特性与补偿度关系的研究[J]发光学报.2000,(01)
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[6]江风益,李述体,王立,熊传兵,彭学新,辛勇,姚冬敏.MOCVD生长GaN:Si单晶膜的研究[J]发光学报.2000,(02)
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[7]李述体,莫春兰,李鹏,王立,熊传兵,彭学新,江风益.掺Si对MOCVD生长的GaN单晶膜的黄带发射及生长速率的影响[J]功能材料与器件学报.2000,(04)
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[8]李述体,江风益,彭学新,王立,熊传兵,李鹏,莫春兰.MOCVD生长的InGaN薄膜的离子束背散射沟道及其光致发光[J]半导体学报.2001,(05)
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[9]王立,李述体,彭学新,熊传兵,李鹏,江凤益.有机源载气对MOCVD生长InGaN薄膜的影响研究[J]发光学报.2001,(03)
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[10]江风益,李述体,王立,彭学新,熊传兵.金属有机化学汽相沉积生长InGaN薄膜的研究[J]光学学报.2001,(12)
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