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关艳霞
【姓名】
关艳霞
【职称】
副教授;
【研究领域】
无线电电子学;仪器仪表工业;材料科学;
【研究方向】
功率半导体器件
【发表文献关键词】
可靠性筛选,感器,模型,维持电流,SiO_2膜,晶闸管,应力水平,光透过率,力学特性,煤粉,溅射,粒度测量,短路点,溅射条件,大注入,早期失效,特性,传感器,筛选效率,工艺,湿敏膜,关断时间,关断,筛...
【工作单位】
沈阳工业大学
【曾工作单位】
沈阳工业大学;
【所在地域】
辽宁沈阳
学术成果产出统计表
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学术成果产出明细表
中国期刊全文数据库
共找到33篇
[1]关艳霞;刘亭;刘勇;邓杰;王卉如;.
IGBT动态雪崩失效机理仿真分析
[J]电源学报.2024,(01)
[2]刘勇;关艳霞;.
基于电荷耦合效应的超级结JBS二极管的仿真分析
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[3]王卉如;关艳霞;.
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[J]微处理机.2023,(01)
[4]王卉如;揣荣岩;关艳霞;.
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[J]微处理机.2022,(01)
[5]邓杰;关艳霞;刘勇;刘亭;王卉如;.
车用功率二极管动态雪崩击穿特性仿真分析
[J]微处理机.2022,(03)
[6]刘亭;关艳霞;刘勇;王卉如;邓杰;.
超级结IGBT击穿特性仿真分析与横向参数优化
[J]微处理机.2021,(02)
[7]刘勇;关艳霞;刘亭;王卉如;邓杰;.
超级结JBS二极管特性的仿真分析
[J]微处理机.2021,(04)
[8]廉宇盟;关艳霞;.
二维电场分布对JBS二极管阻断特性影响的仿真分析
[J]微处理机.2019,(06)
[9]王志忠;关艳霞;.
斜面终端结构对二极管反向雪崩电流耐量影响的研究
[J]微处理机.2019,(01)
[10]王南南;关艳霞;.
U-MOSFET沟槽深度对特性影响的仿真分析
[J]微处理机.2019,(05)
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