冯玉春
【姓名】 冯玉春
【职称】 高级工程师;
【研究领域】 无线电电子学;物理学;工业通用技术及设备;
【研究方向】 功率器件的研究
【发表文献关键词】 光子晶体,带隙,准分形,分形,双缓冲层,理想导体,类分形,MOCVD,缓冲层,GaN,外延生长,表面形貌,金属有机物,滤波器,扫描电子显微镜,双晶,横磁波,横电波,化学气相沉积,Monte Carlo...
【工作单位】 深圳大学
【曾工作单位】 深圳大学;
【所在地域】 广东深圳
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[2]彭冬生;冯玉春;郑瑞生;牛憨笨;.图形蓝宝石基GaN性能的研究[J]电子器件.2009,(02)
[3]彭冬生;王质武;冯玉春;牛憨笨;.硅衬底GaN基LED外延生长的研究[J]压电与声光.2009,(04)
[4]冯松;高勇;杨媛;冯玉春;.Mode analysis and structure parameter optimization of a novel SiGe-OI rib optical waveguide[J]半导体学报.2009,(08)
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[6]冯松;高勇;杨媛;冯玉春;.SiGe-OI对称型Y分支光功率分配器的研究[J]西安理工大学学报.2010,(03)
[7]林娜;冯玉春;许桂雯;.高校重点实验室仪器设备采购探析[J]中国现代教育装备.2010,(23)
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[9]彭冬生;冯玉春;牛憨笨;.Monte Carlo模拟薄膜生长的研究[J]材料导报.2006,(04)
[10]彭冬生;冯玉春;王文欣;刘晓峰;施炜;牛憨笨;.一种外延生长高质量GaN薄膜的新方法[J]物理学报.2006,(07)
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