刘凤伟
【姓名】 刘凤伟
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;金属学及金属工艺;冶金工业;
【研究方向】
【发表文献关键词】 抛光,硅片抛光剂,抛光机理,抛光表面,抛光工艺,损伤特性,抛光剂,抛光速率,抛光硅片,抛光工艺技术,杂质,对比测量,热波技术,活化处理,表面质量,表面损伤,硬度,稀释比,东德,抛光片,
【工作单位】 上海有色金属研究所
【曾工作单位】 上海有色金属研究所;
【所在地域】
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[1]刘凤伟;曹国琛;.硅片抛光工艺技术研究[J]电子与自动化.1996,(02)
[2]刘凤伟;汪光裕;.SiCl_4氢化反应的探索——提高超纯硅实收率与纯度的途径[J]上海金属.有色分册.1981,(04)
[3]纪振山;刘凤伟;夏锦禄;汪光裕;.半导体硅材料展望与设想[J]上海金属.有色分册.1984,(02)
[4]纪振山;刘凤伟;夏锦禄;汪光裕;.半导体硅材料展望与设想(续)[J]上海金属.有色分册.1984,(03)
[5]刘凤伟.硅片抛光[J]半导体技术.1988,(02)
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