施炜
【姓名】 施炜
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;物理学;工业通用技术及设备;
【研究方向】
【发表文献关键词】 半导体器件与技术,多量子阱,注入载流子,表面处理,非均匀分布,MOCVD,横向外延生长,GaN薄膜,载流子分布,蓝宝石衬底,注入电流,半峰全宽,腐蚀时间,非均匀性,载流子浓度,氮化镓,有效势垒高度,位...
【工作单位】 深圳大学
【曾工作单位】 深圳大学;
【所在地域】 广东深圳
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[1]彭冬生;冯玉春;王文欣;刘晓峰;施炜;牛憨笨;.一种外延生长高质量GaN薄膜的新方法[J]物理学报.2006,(07)
[2]施炜;黄黎蓉;段子刚;冯玉春;.多量子阱中注入载流子的非均匀分布[J]光子学报.2006,(09)
[3]彭冬生;冯玉春;王文欣;刘晓峰;施炜;牛憨笨;.蓝宝石表面处理对氮化镓薄膜的影响[J]光子学报.2007,(08)
[4]冯玉春,施炜.新一代半导体材料 新贵GAN[J]深圳特区科技.2005,(Z4)
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