胡加辉
【姓名】 胡加辉
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;物理学;工业通用技术及设备;
【研究方向】
【发表文献关键词】 双缓冲层,MOCVD,缓冲层,外延生长,GaN,表面形貌,金属有机物,扫描电子显微镜,氮化镓,Si(111),金属有机化学气相沉积,双晶X射线衍射,过渡层,化学计量比,双晶,化学气相沉积,X射线衍射,...
【工作单位】 深圳大学
【曾工作单位】 深圳大学;
【所在地域】 广东深圳
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[1]朱军山,胡加辉,徐岳生,刘彩池,冯玉春,郭宝平.双缓冲层法在硅上外延生长GaN研究[J]稀有金属.2005,(02)
[2]朱军山,徐岳生,郭宝平,刘彩池,冯玉春,胡加辉.Si(111)衬底上生长的GaN的形貌与AlN缓冲层生长温度的关系[J]半导体学报.2005,(08)
[3]胡加辉,朱军山,冯玉春,张建宝,李忠辉,郭宝平,徐岳生.Si(111)衬底上GaN的MOCVD生长[J]发光学报.2005,(04)
[4]冯玉春,胡加辉,张建宝,王文欣,朱军山,杨建文,郭宝平.过渡层结构和生长工艺条件对S i基G aN的影响[J]人工晶体学报.2005,(05)
[5]冯玉春;张建宝;朱军山;杨建文;胡加辉;王文欣;.Ni/ITO与p型GaN的欧姆接触[J]发光学报.2005,(06)
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