宫箭
【姓名】 宫箭
【职称】
【研究领域】 物理学;无线电电子学;高等教育;
【研究方向】 低维半导体结构中电子输运和自旋电子学方面的研究
【发表文献关键词】 电子面密度,异质结,结合能,共振隧穿,基态能量,有效质量,杂质态,双势垒结构,寿命,透射系数,ZnSe,耦合效应,界面极化,施主能,横向运动,结构参数,电子隧穿,转移矩阵法,数值计算,时间特性,量子阱...
【工作单位】 内蒙古大学
【曾工作单位】 内蒙古大学;
【所在地域】 内蒙
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中国期刊全文数据库    共找到9篇
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[4]那顺乌日图;宫箭;.强激光场下非对称量子阱结构中子带间的跃迁[J]光电子.激光.2010,(07)
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[7]宫箭,班士良.Zn_(1-x)Cd_xSe/ZnSe异质结中的界面极化子[J]内蒙古大学学报(自然科学版).2000,(04)
[8]宫箭,班士良.Zn_(1-x)Cd_xSe/ZnSe异质结系统的施主能级[J]内蒙古大学学报(自然科学版).2000,(05)
[9]宫箭,班士良.电子横向运动对共振隧穿的影响[J]发光学报.2001,(01)
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中国博士学位论文全文数据库    共找到1篇
[1]宫箭.双势垒抛物量子阱结构中的电子隧穿[D].内蒙古大学.2005
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