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宫箭
【姓名】
宫箭
【职称】
【研究领域】
物理学;无线电电子学;高等教育;
【研究方向】
低维半导体结构中电子输运和自旋电子学方面的研究
【发表文献关键词】
电子面密度,异质结,结合能,共振隧穿,基态能量,有效质量,杂质态,双势垒结构,寿命,透射系数,ZnSe,耦合效应,界面极化,施主能,横向运动,结构参数,电子隧穿,转移矩阵法,数值计算,时间特性,量子阱...
【工作单位】
内蒙古大学
【曾工作单位】
内蒙古大学;
【所在地域】
内蒙
学术成果产出统计表
今年新增
/文献篇数
核心期刊论文数
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第一作者篇数
总被引频次
总下载频次
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/
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1435
文献数(该学者统计年度当年发文总文献数)
被引频次(该学者统计年度当年发文总被引频次)
浏览趋势(该学者统计年度当年发文总浏览频次)
下载频次(该学者统计年度当年发文总下载频次)
学术成果产出明细表
中国期刊全文数据库
共找到9篇
[1]崔鑫;班士良;宫箭;梁希侠;.
两学分“统热”课程的探索与实践
[J]大学物理.2019,(02)
[2]黎明;陈军;宫箭;.
InAs/InP柱型量子线中隧穿时间和逃逸问题的研究
[J]物理学报.2014,(23)
[3]王瑞琴;宫箭;武建英;陈军;.
对称双势垒量子阱中自旋极化输运的时间特性
[J]物理学报.2013,(08)
[4]那顺乌日图;宫箭;.
强激光场下非对称量子阱结构中子带间的跃迁
[J]光电子.激光.2010,(07)
[5]杨明;宫箭;李贺年;李硕;.
Ⅱ-Ⅵ族稀磁半导体多层结构中的自旋极化隧穿
[J]发光学报.2010,(04)
[6]宫箭,梁希侠,班士良.
GaAs-Al_xGa_(1-x)As双势垒结构中电子共振隧穿寿命
[J]半导体学报.2005,(10)
[7]宫箭,班士良.
Zn_(1-x)Cd_xSe/ZnSe异质结中的界面极化子
[J]内蒙古大学学报(自然科学版).2000,(04)
[8]宫箭,班士良.
Zn_(1-x)Cd_xSe/ZnSe异质结系统的施主能级
[J]内蒙古大学学报(自然科学版).2000,(05)
[9]宫箭,班士良.
电子横向运动对共振隧穿的影响
[J]发光学报.2001,(01)
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中国博士学位论文全文数据库
共找到1篇
[1]宫箭.
双势垒抛物量子阱结构中的电子隧穿
[D].内蒙古大学.2005
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研究方向相近的学者
(学者,学者单位)
刘淑萍
西安交通大学
靳瑞英
西安理工大学
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合作过的学者
(学者,学者单位,篇数)
班士良
内蒙古大学
4
梁希侠
内蒙古大学
1
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引用过该学者文献的学者
(学者,学者单位,篇数)
王树涛
内蒙古大学
3
张敏
内蒙古大学
2
贾秀敏
内蒙古大学
3
班士良
内蒙古大学
12
曹轶乐
内蒙古大学
2
哈斯花
内蒙古大学
2
武维
内蒙古大学
2
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