胡才雄
【姓名】 胡才雄
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;无机化工;化学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 吸除,吸除技术,硅外延片,机械损伤,激光辐照,氧沉淀,离子注,氧行为,硅中氧,净层,表面缺陷,硅器件,直拉硅,外延片,热施主,微缺陷,少子产生寿命,电阻率,电性能,损伤层,新施主,内吸除,行为研究,氧...
【工作单位】 上海有色金属研究所
【曾工作单位】 上海有色金属研究所;
【所在地域】 上海
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[1]胡才雄.硅片和硅器件工艺中的背面损伤吸除技术[J]上海有色金属.1994,(01)
[2]曹国琛，胡才雄，蔡仲麟，吕春鸿，沈火根，张树清，金胜祖.综合吸除对硅外延片（N／N~＋）性能的影响[J]上海有色金属.1994,(06)
[3]胡才雄，夏锦禄，张建宇.硅中氧行为研究的新进展[J]上海有色金属.1995,(01)
[4]胡才雄;.LSI/VLSI中缺陷、杂质与器件性能的关系[J]上海金属.有色分册.1992,(01)
[5]胡才雄;.硅片和硅器件工艺中的本征吸除技术[J]上海金属.有色分册.1992,(03)
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